УДК 536.3:681.586.5

Г. Ф. Горностаев, Г. А. Фролов, М. В. Трикула

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА РАСПРОСТРАНЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ БОКОВОМ ОСВЕЩЕНИИ СВЕТОВОДА
Предложена конструкция оптоволоконного датчика распределенного типа для обнаружения источников излучения, произвольно расположенных в зоне технологического контроля. Разработан метод регистрации рассеянного и направленного потоков излучения, подводимых к боковой поверхности световода, на основе измерения светового потока, диффузно рассеянного на технологических микродефектах световода. Установлено, что рассеянный поток концентрируется в основном в оболочке световода. Исследована чувствительность датчика к излучению газового пламени, лазерного диода и фоновых источников. Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины. 03142, г. Киев, ул. Кржижановского, 3; э-почта: frolov@alfacom.net. Поступила 18.09.2003.