УДК 538.3

О. М. Остриков

РАСЧЕТ ПОЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЙ У ПОЛИСИНТЕТИЧЕСКОГО ДВОЙНИКА, НАХОДЯЩЕГОСЯ У ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА
Без использования приближения тонкого двойника, при допущении непрерывного распределения дислокаций на границах разработана методика расчета полей напряжений у полисинтетического двойника, находящегося у поверхности кристалла. Показано, что напряжения у полисинтетического двойника локализованы на границах и у вершин входящих в его состав двойников. Приведены примеры расчетов скалывающих напряжений у полисин- тетического двойника с прямолинейными и криволинейными границами, при равномерном и неравномерном распределении дислокаций на границах. Гомельский государственный технический университет им. П. О. Сухого. 246746, г. Гомель, просп. Октября, 48. Поступила 28.09.2007, в окончательной редакции - 25.04.2008.