УДК 621.315.592

Е. Ф. Венгер1), А. И. Евтушенко2), 
Л. Ю. Мельничук2), А. В. Мельничук2)

СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА 6H-SiC, РАЗМЕЩЕННОГО В СИЛЬНОМ ОДНОРОДНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Проведено теоретическое исследование коэффициентов внешнего отражения одноосного полярного оптически анизотропного монокристалла SiC (политип 6H) при наличии влияния сильного однородного магнитного поля (в случаях конфигураций Фарадея и Фогта). Впервые в спектрах внешнего отражения монокристалла 6H-SiC обнаружены области проявления новых осцилляций, обусловленных влиянием сильного однородного магнитного поля. Изученa взаимосвязь фононов с плазмонами в монокристалле 6H-SiC под действием сильного однородного магнитного поля. Ключевые слова: карбид кремния, спектр внешнего отражения, монокристалл SiC (политип 6H). 1)Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины. 03028, г. Киев, просп. Науки, 45; 2)Нежинский государственный университет им. Н. В. Гоголя. Украина, Черниговская обл., 16602, г. Нежин, ул. Кропивянского, 2; э-почта: ealyona@ukr.net. Поступила 09.10.2008.