УДК536.2

Х. Т. Игамбердиев1,2), Ш. У. Юлдашев1,2), 
C. C. Курбанов1,2), T. W. Kang1), 
П. К. Хабибуллаев2), Ш. М. Рахимова2), 
В. О. Пеленович2), А. Г. Шашков3)

ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА

Комбинация двух методов - лазерной модуляции и 3ω - была использована 
для определения теплоемкости, теплопроводности и температуропроводности нано-
структур оксида цинка. Обнаружено существенное различие тепловых параметров 
наноструктур оксида цинка, выращенных различными технологическими методами. 
Показано, что относительно низкие значения теплопроводности и температуропро-
водности наноструктур оксида цинка обусловлены как внутренними дефектами, так 
и сопротивлением контакта между пленкой и ее основанием - подложкой.

Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, оксид цинка, 
наноструктура, теплопроводность, температуропроводность, теплоемкость, 
контактное тепловое сопротивление.

1)Quantum-functional Semiconductor Research Center, 
Dongguk Univ.-Seoul. 100715, South Korea; э-почта: shavkaty@yahoo.com; 
2)Отдел теплофизики НАН Узбекистана. 100135, г. Ташкент, ул. 
Катартал, 28. 3)Институт тепло- и массоoбмена НАН Беларуси. 
220072, г. Минск, ул. П. Бровки, 15. Поступила 14.09.2009, в окончательной 
редакции - 24.12.2009.