УДК 539.219.3

О. И. Величко, В. В. Аксенов, А. П. Ковалева

МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕЖУЗЕЛЬНОЙ ДИФФУЗИИ БОРА В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

Проведено моделирование перераспределения ионно-имплантированного 
бора в кристаллическом кремнии при быстром низкотемпературном отжиге. 
Показано, что формирование "хвостов" в области низкой концентрации 
примеси происходит в результате длиннопробежной миграции межузельных 
атомов бора.

Ключевые слова: бор, кремний, низкотемпературный отжиг, диффузия.

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. 
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6; э-почта: oleg_velichko@cosmostv.by. 
Поступила 23.02.2012.