РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ И ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕМПЕРАТУРЫ

Изучено и установлено, что формирование омических контактов является одной из заключительных и наиболее ответственной операцией в технологическом процессе изготовления полупроводниковых пре- образователей температуры, поскольку от качества получения контактов зависит изменение характе- ристик прибора и его работоспособность в целом. Удельное сопротивление контакта экспоненциально зависит от отношения высоты потенциального барьера контакта к корню из концентрации легирования области, на которой формируется контакт. При N > 1017см–3 удельное контактное сопротивление ρ определяется в основном туннельными процессами и быстро уменьшается по мере повышения степени легирования. Поэтому для получения малых ρ необходима высокая степень легирования либо малая высота барьера hb. При изготовлении омических контактов также следует учитывать, что высота энергетиче- ского барьера hb очень чувствительна к термообработке образца до и после напыления
Изучено и установлено, что формирование омических контактов является одной из заключительных и наиболее ответственной операцией в технологическом процессе изготовления полупроводниковых пре- образователей температуры, поскольку от качества получения контактов зависит изменение характе- ристик прибора и его работоспособность в целом. Удельное сопротивление контакта экспоненциально зависит от отношения высоты потенциального барьера контакта к корню из концентрации легирования области, на которой формируется контакт. При N > 1017см–3 удельное контактное сопротивление ρ определяется в основном туннельными процессами и быстро уменьшается по мере повышения степени легирования. Поэтому для получения малых ρ необходима высокая степень легирования либо малая высота барьера hb. При изготовлении омических контактов также следует учитывать, что высота энергетиче- ского барьера hb очень чувствительна к термообработке образца до и после напыления Автор:  А. Т. Рахманов, Г. Г. Бобоев
Ключевые слова:  полупроводник, омические контакты, монокристалл, легирование, удельное сопротив- ление, кремний, преобразователь, температура, напыление
Стр:  825